2EDL23N06PJXUMA1, Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT

Фото 1/2 2EDL23N06PJXUMA1, Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
570 руб.
от 10 шт.470 руб.
от 100 шт.406 руб.
от 250 шт.349.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 570 руб.
Номенклатурный номер: 8005238309
Артикул: 2EDL23N06PJXUMA1

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
Описание Микросхема driver; полумост MOSFET; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; -2,5-1,8А Характеристики
Категория Микросхема

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 37 ns
Logic Type: CMOS
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +105 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 2 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Operating Supply Current: 340 uA
Output Current: 2.3 A
Package/Case: DSO-14
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: 2EDL23N06PJ SP001080088
Pd - Power Dissipation: 900 mW
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Propagation Delay - Max: 610 ns
Rise Time: 48 ns
Shutdown: Shutdown
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 17.5 V
Supply Voltage - Min: 10 V
Technology: Si
Type: Half-Bridge
Driven Configuration Half Bridge
Fall Time 37ns
Load Type MOSFET
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40℃~+150℃@(Tj)
Peak Output Current(sink) 2.3A
Peak Output Current(source) 1.8A
Rise Time 48ns
Supply Voltage 10V~17.5V
Вес, г 0.14

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1070 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем