BGA7L1N6E6327XTSA1, RF Amplifier RF SILICON MMIC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

от 10 шт. — 250 руб.

от 100 шт. — 181 руб.

от 500 шт. — 139.60 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.

Номенклатурный номер: 8005238829

Артикул: BGA7L1N6E6327XTSA1

BGA 7L1N6 E6327, SP001109134

Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	85 C
Максимальная Частота	960МГц
Максимальное Напряжение Питания	3.3В
Минимальная Рабочая Температура	-40 C
Минимальная Частота	728МГц
Минимальное Напряжение Питания	1.5В
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы	TSNP
Типичное Значение Коэффициента Шума	0.9дБ
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Усиление	13.3дБ
Amplifier Type	Low Noise
Brand	Infineon Technologies
Factory Pack Quantity	15000
Frequency Range	728 MHz to 960 MHz
Gain	13.3 dB
Input Return Loss	25 dB
Isolation dB	25 dB
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+85 C
Minimum Operating Temperature	-40 C
Mounting Style	SMD/SMT
NF - Noise Figure	0.9 dB
Operating Frequency	728 MHz to 960 MHz
Operating Supply Current	4.5 mA
Operating Supply Voltage	3.3 V
P1dB - Compression Point	-2 dBm
Package / Case	TSNP-6
Packaging	Reel
Part # Aliases	7L1N6 BGA E6327 SP001109134
Pd - Power Dissipation	60 mW
Product Category	RF Amplifier
RoHS	Details
Technology	SiGe
Type	LNA for LTE