F3L25R12W1T4B27BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 460 руб.
от 10 шт. —
9 200 руб.
от 24 шт. —
7 870 руб.
от 48 шт. —
6 900.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 460 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
1200V 3-level IGBT Modules Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 25 A |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | EasyPack1B |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | F3L25R12W1T4_B27 SP001056108 |
| Pd - Power Dissipation: | 215 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
