F3L75R12W1H3B11BPSA1, IGBT Transistors EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 500 руб.
от 10 шт. —
13 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
1200V 3-level IGBT Modules Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | Quad |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | F3L75R12W1H3_B11 SP001355698 |
| Pd - Power Dissipation: | 275 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
