FF1500R12IE5PBPSA1, IGBT Modules PP IHM I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
191 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 191 800 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модули
Discrete Semiconductor Modules
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1500 A |
| Vf - прямое напряжение | 1.95 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.8 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время нарастания | 016 us |
| Время спада | 0.09 us |
| Другие названия товара № | SP002397954 |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный ток удержания Ih | 150 mA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Отпирающий ток управления - Igt | 150 mA |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Diode Power Modules |
| Размер фабричной упаковки | 3 |
| Тип | Diode, Inverter |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Типичное время задержки выключения | 0.51 us |
| Типичное время задержки при включении | 0.26 us |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Base Product Number | FF1500 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1500A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 20mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | PrimePACKв„ў3+ -> |
| Supplier Device Package | AG-PRIME3+-5 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 1.5kA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1.5кА |
| DC Ток Коллектора | 1.5кА |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | PrimePACK 3+B |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 644 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
