Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SA2029T2LQ, Bipolar Transistors - BJT PNP ...

2SA2029T2LQ, Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5892 шт., срок 6-8 недель

120 руб.

от 10 шт. — 80 руб.

от 100 шт. — 31 руб.

от 1000 шт. — 18.46 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005258891

Артикул: 2SA2029T2LQ

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.15A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.5 mm
Длина	1.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.15 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.15 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	2SA2029
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	VMT-3
Ширина	0.8 mm
Base Product Number	2SA2029 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	140MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SOT-723
Power - Max	150mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	VMT3
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Maximum Collector Base Voltage	60 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-50 V
Maximum DC Collector Current	-150 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	140 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 mW
Minimum DC Current Gain	120
Number of Elements per Chip	1
Package Type	VMT
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.008