GT40QR21(STA1,E,D, IGBT Transistors DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 шт., срок 7-9 недель
1 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 080 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -25 V, 25 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-3PN-3 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
