Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › 2N7002BK,215, MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB

2N7002BK,215, MOSFET 2N7002BK/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

> 1 млн. шт., срок 6-8 недель

77 руб.

от 10 шт. — 44 руб.

от 100 шт. — 21 руб.

от 1000 шт. — 13.86 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 77 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005271942

Артикул: 2N7002BK,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 245мА, 1,2Вт, SOT23 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	440 mW
Qg - заряд затвора	0.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	350mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	370mW
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.1V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	350 mA
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	440 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.5 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.008