Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › 2N7002BKS,115, MOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88

2N7002BKS,115, MOSFET 2N7002BKS/SOT363/SC-88

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

48622 шт., срок 6-8 недель

97 руб.

от 10 шт. — 70 руб.

от 100 шт. — 30 руб.

от 1000 шт. — 22.90 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 97 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8005271943

Артикул: 2N7002BKS,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор Dual N-Channel 60V 300mA

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	440 mW
Qg - заряд затвора	0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	7 ns
Высота	1.1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	934064284115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	550 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.35 mm
Brand	Nexperia
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Dual
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	7 ns
Forward Transconductance - Min	550 mS
Id - Continuous Drain Current	300 mA
Manufacturer	Nexperia
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	2 Channel
Package / Case	TSSOP-6
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	0.34 W
Product	MOSFET Small Signal
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	0.5 nC
Qualification	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Rise Time	6 ns
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V
кол-во в упаковке	3000
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	300 mA
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	445 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.5 nC @ 4.5 V
Width	1.35mm
Вес, г	0.0075