BC53-16PA,115, Bipolar Transistors - BJT BC53-16PA/SOT1061/HUSON3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25272 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
от 10 шт. —
81 руб.
от 100 шт. —
34 руб.
от 1000 шт. —
24.46 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors Nexperia BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors offer a small form factor that uses about 75% less board space and allows more design flexibility. These bipolar transistors feature reduced parasitic inductance and capacitance with an improved, low thermal resistance, enabling higher reliability. The BJT components are ideal for applications where space is at a premium. Applications include mobile devices, wearables, automotive sensors, and camera modules.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -1 A |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 145 MHz |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | DFN2020-3 |
| Part # Aliases: | 934065823115 |
| Pd - Power Dissipation: | 420 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 2V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 420mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 145MHz |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![КТ805БМ, Биполярный транзистор, NPN, 60В, 5А, 30Вт, h21e= 15 [КТ-28 / TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2N3439, Транзистор NPN 350В 1А [TO-39]](https://static.chipdip.ru/lib/691/DOC005691789.jpg)
![2SA1360, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.05А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=5Вт [TO-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
![2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC000583324.jpg)
