BSH205G2VL, MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB

BSH205G2VL, MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
41458 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
от 10 шт.99 руб.
от 100 шт.43 руб.
от 1000 шт.27.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8005273971
Артикул: BSH205G2VL
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SOT23 Surface-Mounted Package Products Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.

Технические параметры

Brand: Nexperia
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 10000
Id - Continuous Drain Current: 2.3 A
Manufacturer: Nexperia
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-23-3
Part # Aliases: 934068496235
Pd - Power Dissipation: 890 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 6.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 170 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 950 mV
Вес, г 294

Техническая документация

Datasheet
pdf, 736 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.