BSH205G2VL, MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41458 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
от 10 шт. —
99 руб.
от 100 шт. —
43 руб.
от 1000 шт. —
27.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
SOT23 Surface-Mounted Package Products Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.
Технические параметры
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 10000 |
Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | 934068496235 |
Pd - Power Dissipation: | 890 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 6.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 170 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
Вес, г | 294 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 736 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары