Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSP122,115, MOSFET BSP122/SOT223/SC-73

BSP122,115, MOSFET BSP122/SOT223/SC-73

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4763 шт., срок 6-8 недель

160 руб.

от 10 шт. — 140 руб.

от 100 шт. — 89 руб.

от 500 шт. — 69.22 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005273973

Артикул: BSP122,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,55А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	550 mA
Pd - рассеивание мощности	1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	BSP122 T/R
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Dual Drain
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	BSP122 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	550mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.4V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 750mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Вес, г	0.25