Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BST82,215, MOSFET BST82/SOT23/TO-236AB

BST82,215, MOSFET BST82/SOT23/TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

81335 шт., срок 6-8 недель

80 руб.

от 10 шт. — 57 руб.

от 100 шт. — 35 руб.

от 1000 шт. — 25.01 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 80 руб.

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8005274013

Артикул: BST82,215

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор полевой BST82,215 от производителя NEXPERIA представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Этот транзистор обладает током стока 0,19 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет ему справляться с широким спектром задач. Мощность устройства составляет 0,83 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 10 Ом, что обеспечивает его эффективную работу в различных электронных схемах. Транзистор имеет компактный корпус SOT23, что делает его идеальным для использования в ограниченных пространствах. Продукт BST82215 является надежным решением для разработчиков и инженеров, стремящихся к миниатюризации и повышению эффективности своих проектов. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	0.19
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	0.83
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	10
Корпус	SOT23

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	190 mA
Pd - рассеивание мощности	830 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	933733110215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel MOSFET
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	190 mA
Maximum Drain Source Resistance	10 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	830 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Вес, г	0.05