BST82,235, MOSFET BST82/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5253 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
от 10 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
45 руб.
от 1000 шт. —
27.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор TRENCH-100 -TAPE 13
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 190 mA |
Pd - рассеивание мощности | 0.83 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | /T3 BST82 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 350 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 3 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | TO-236AB-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары