BUK4D60-30X, MOSFET BUK4D60-30/ SOT1220/SOT1220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8344 шт., срок 6-8 недель
150 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
90 руб.
от 3000 шт. —
64.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MOS DISCRETES
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8.3 A |
Pd - рассеивание мощности | 7.5 W |
Qg - заряд затвора | 5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.25 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4 ns |
Время спада | 2 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 7 ns |
Типичное время задержки при включении | 2 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | DFN2020MD-6 |
Вес, кг | 77 |
Техническая документация
Datasheet BUK4D60-30X
pdf, 293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары