2N6387G, Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar Power NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
182 руб.
от 500 шт. —
130.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Транзисторы Дарлингтона
Описание Биполярный транзистор 2N6387G от производителя ONSEMI отличается монтажом THT, что облегчает его установку в различных электронных устройствах. С током коллектора до 10 А и напряжением коллектор-эмиттер до 60 В, а также мощностью в 2 Вт, этот транзистор идеально подходит для широкого спектра задач. Благодаря типу NPN и виду Дарлингтон, а также корпусу TO220-3, он обеспечивает повышенную эффективность и надежность в своей области применения. Использование модели 2N6387G гарантирует высокую производительность в схемах усиления и коммутации. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN, Дарлингтон |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 60 |
| Мощность, Вт | 2 |
| Корпус | TO220-3 |
Технические параметры
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | 2N6388 |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V dc |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V dc |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A dc |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Minimum DC Current Gain | 1000 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet 2N6387G
pdf, 247 КБ
Datasheet 2N6388G
pdf, 107 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
