Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N6388G, Bipolar Transistors - BJT 10A 80V ...

2N6388G, Bipolar Transistors - BJT 10A 80V Bipolar Power NPN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

от 10 шт. — 200 руб.

от 100 шт. — 154 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8005368267

Артикул: 2N6388G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Транзисторы Дарлингтона

Описание Транзистор биполярный 2N6388G производства ONSEMI - надежный компонент для мощных устройств. Оснащен корпусом TO220, подходящим для сквозного монтажа (THT). Этот NPN Дарлингтон транзистор имеет максимальный ток коллектора 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 80 В, что позволяет использовать его в силовой электронике. Мощность устройства составляет 2 Вт. Идеален для применения в усилителях, переключателях и других электронных схемах, где требуется высокая усиление тока. Модель 2N6388G отличается простотой интеграции в различные электронные проекты благодаря стандартному корпусу и распространенным характеристикам. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN, Дарлингтон
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	10
Напряжение коллектор-эмиттер, В	80
Мощность, Вт	2
Корпус	TO220

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	65 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.75 mm
Длина	10.53 mm
Категория продукта	Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	1000
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	20000
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	10 A
Максимальный ток отсечки коллектора	1000 uA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	10 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	50
Серия	2N6388
Тип продукта	Darlington Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	10А
DC Current Gain hFE Min	100hFE
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Power Dissipation	65Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Cut-off Current	1mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Continuous Collector Current	10 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	65 W
Minimum DC Current Gain	2500
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Width	10.28mm
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Base Current (A)	0.25
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	2@0.01A@5A\|3@0.1A@10A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum Continuous DC Collector Current (A)	10
Maximum DC Current Gain	20000@5A@3V
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Minimum DC Current Gain Range	<500\|500 to 3600
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Through Hole
Operating Junction Temperature (°C)	-65 to 150
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Type	NPN
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)	20(Min)
Typical Transition Frequency (MHz)	20(Min)
Вес, г	6