2SA1418S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

от 100 шт. — 101 руб.

от 500 шт. — 79.13 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.

Номенклатурный номер: 8005368301

Артикул: 2SA1418S-TD-E

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.7A 160V

Pd - рассеивание мощности	1.3 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.2 V, 0.12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.7 A, 0.7 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	120 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SA1418
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Case	SOT89
Collector current	0.7A
Collector-emitter voltage	160V
Current gain	140…280
Frequency	120MHz
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
Polarisation	bipolar
Power dissipation	0.5W
Type of transistor	PNP
Вес, г	0.0513

pdf, 349 КБ

Мы рекомендуем