2SA1552S-TL-H, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
от 100 шт. —
191 руб.
от 700 шт. —
150.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -180 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -160 V |
| Maximum DC Collector Current | -1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 120 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Minimum DC Current Gain | 140 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TP-FA |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
