2SA2013-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
от 500 шт. —
74.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 50V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SA2013 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | PCP-3 |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | -50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -200 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -4 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| DC Current Gain hFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 360 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | -7 A |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PCP-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SA2013 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 360 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PCP |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.0515 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
