2SA2029M3T5G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

100 руб.

от 10 шт. — 70 руб.

от 100 шт. — 27 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 100 руб.

Номенклатурный номер: 8005368312

Артикул: 2SA2029M3T5G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNP

Pd - рассеивание мощности	265 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.5 mm
Длина	1.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	2SA2029M3
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-723-3
Ширина	0.8 mm
Вес, г	0.0012

pdf, 57 КБ

Мы рекомендуем