DTA123JET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
от 10 шт. —
41 руб.
от 100 шт. —
18 руб.
от 1000 шт. —
9.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-75-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.047 |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 509 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
