DTA123JM3T5G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
96 руб.
от 10 шт. —
65 руб.
от 100 шт. —
39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 96 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | DTA123J |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 2.1 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DTA123JM3T5G
pdf, 155 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов