DTA124EET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP

DTA124EET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
63 руб.
от 10 шт.43 руб.
от 100 шт.18 руб.
от 1000 шт.9.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 63 руб.
Номенклатурный номер: 8005369018
Артикул: DTA124EET1G

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.75 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 60
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DTA124EE
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 22 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SC-75-3
Ширина 0.8 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 433 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов