FGD3050G2, IGBT Transistors 500V 27A 1.3V 300mJ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
437 руб.
от 500 шт. —
321.51 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 500 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 32 A |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 25 uA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 795 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
