MMBFJ310LT3G, JFET 25V 10mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
от 100 шт. —
42 руб.
от 1000 шт. —
29.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 24 to 60mA |
Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Source Gate On-Capacitance | 5pF |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ310LT1G
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары