NCD57001DWR2G, Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolatio

NCD57001DWR2G, Galvanically Isolated Gate Drivers Isolated high current and high efficiency IGBT gate driver with internal galvanic isolatio
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 370 руб.
от 10 шт.1 150 руб.
от 25 шт.1 060 руб.
от 100 шт.822.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 370 руб.
Номенклатурный номер: 8005372209
Артикул: NCD57001DWR2G

Описание

Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС для управления питанием\Драйверы для управления затвором
Драйверы для управления затвором GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1400 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 10 ns
Время спада 15 ns
Выходное напряжение 0.8 V
Выходной ток 6 A
Задержка распространения - макс. 90 ns
Категория продукта Драйверы для управления затвором
Количество выходов 1 Output
Количество драйверов 1 Driver
Конфигурация Inverting, Non-Inverting
Максимальная рабочая температура + 125 C
Максимальное время задержки включения 90 ns
Максимальное время задержки выключения 90 ns
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение питания - макс. 5 V
Напряжение питания - мин. 3.3 V
Подкатегория PMIC - Power Management ICs
Продукт IGBT, MOSFET Gate Drivers
Рабочий ток источника питания 4.8 mA
Размер фабричной упаковки 1000
Тип Inverting, Non-Inverting
Тип продукта Gate Drivers
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOIC-16
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем