NCV5701CDR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR

NCV5701CDR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
от 10 шт.420 руб.
от 100 шт.354 руб.
от 250 шт.311.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Номенклатурный номер: 8005374034
Артикул: NCV5701CDR2G

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
Драйверы для управления затвором HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Технические параметры

Brand: onsemi
Configuration: Inverting
Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 7.9 ns
Features: DESAT Protection with Programmable Delay, Separate Outputs for VOL and VOH
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 75 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 75 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 1 Driver
Number of Outputs: 1 Output
Operating Supply Current: 900 uA
Output Current: 4 A
Output Voltage: 5 V
Package / Case: SOIC-8
Pd - Power Dissipation: 700 mW
Product Category: Gate Drivers
Product Type: Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Propagation Delay - Max: 70 ns
Qualification: AEC-Q100
Rise Time: 9.2 ns
Shutdown: Shutdown
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 35 V
Supply Voltage - Min: 5.5 V
Technology: Si
Type: Half-Bridge

Техническая документация

Datasheet
pdf, 414 КБ
Datasheet NCV5701CDR2G
pdf, 412 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем