NGTB25N120FL3WG, IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 710 руб.
от 10 шт. —
1 610 руб.
от 30 шт. —
1 300 руб.
от 120 шт. —
1 073.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 710 руб.
Описание
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 3085pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 349 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 4.083 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IRGP4063DPBF, Транзистор IGBT 600В 96А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
