NXH350N100H4Q2F2P1G, IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 52 470 руб.
Описание
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1000 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 303 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 592 W |
| Number of Transistors | 4 |
| Package Type | Q2PACK(Pb-Free/Halide-Free) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2744 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
