SMMBFJ309LT1G, JFET N-Channel JFET Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
54 руб.
от 1000 шт. —
37.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gate-Source Cut-off Voltage: | -6.5 V |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![AO6402A, Транзистор [TSOP-6]](https://static.chipdip.ru/lib/444/DOC044444534.jpg)
