IR2110PBF, Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
960 руб.
от 10 шт. —
740 руб.
от 100 шт. —
623 руб.
от 250 шт. —
556 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 960 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Характеристики
Категория | Микросхема |
Технические параметры
Напряжение высоковольтной части | 500 |
Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Non-Inverting |
Factory Pack Quantity | 1500 |
Fall Time | 25 ns |
Features | Independent |
Height | 5.33 mm(Max) |
Length | 20.19 mm(Max) |
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +125 C |
Maximum Turn-Off Delay Time | 94 ns |
Maximum Turn-On Delay Time | 120 ns |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Drivers | 2 Driver |
Number of Outputs | 2 |
Operating Supply Current | 340 uA |
Output Current | 2.5 A |
Package / Case | PDIP-14 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
Product | Half-Bridge Drivers |
Product Category | Gate Drivers |
Propagation Delay - Max | 150 ns |
Rise Time | 35 ns |
RoHS | Details |
Supply Voltage - Max | 20 V |
Supply Voltage - Min | 10 V |
Type | High and Low Side |
Unit Weight | 0.057144 oz |
Width | 7.11 mm(Max) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 486 КБ
Using IR monolithic high voltage gate drivers
pdf, 356 КБ
Datasheet IR2110(-1-2)(S)PbF IR2113(-1-2)(S)
pdf, 328 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем