APT50M75LLLG, Discrete Semiconductor Modules POWER MOS 7 MOSFET

APT50M75LLLG, Discrete Semiconductor Modules POWER MOS 7 MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 830 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 830 руб.
Номенклатурный номер: 8005439587
Артикул: APT50M75LLLG

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор POWER MOS 7 МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 57 A
Pd - рассеивание мощности 570 W
Qg - заряд затвора 125 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 19 ns
Время спада 3 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 21 ns
Типичное время задержки при включении 8 ns
Торговая марка Microchip / Microsemi
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-264-3
Вес, г 10

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов