ARF461BG, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

15 590 руб.
от 100 шт.11 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 590 руб.
Номенклатурный номер: 8005439600
Артикул: ARF461BG

Описание

Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Транзисторы РЧ\РЧ МОП-транзисторы
РЧ МОП-транзисторы FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6.5 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Выходная мощность 150 W
Категория продукта РЧ МОП-транзисторы
Количество каналов 1 Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 3 mS
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Рабочая частота 65 MHz
Размер фабричной упаковки 1
Технология Si
Тип RF Power MOSFET
Тип продукта RF MOSFET Transistors
Торговая марка Microchip / Microsemi
Упаковка Tube
Усиление 13 dB
Вес, г 12.32

Техническая документация

Datasheet ARF461BG
pdf, 140 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов