ARF461BG, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
15 590 руб.
от 100 шт. —
11 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 590 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Транзисторы РЧ\РЧ МОП-транзисторы
РЧ МОП-транзисторы FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Выходная мощность | 150 W |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Количество каналов | 1 Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Рабочая частота | 65 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Технология | Si |
Тип | RF Power MOSFET |
Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
Торговая марка | Microchip / Microsemi |
Упаковка | Tube |
Усиление | 13 dB |
Вес, г | 12.32 |
Техническая документация
Datasheet ARF461BG
pdf, 140 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары