Jan2N3740, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 250 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 250 руб.

Номенклатурный номер: 8005439617

Артикул: Jan2N3740

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Pd - рассеивание мощности	25 W
RoHS	N
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 250 mA, 1 VDC
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120 at 250 mA, 1 VDC
Максимальная рабочая температура	+ 200 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	100
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-66-2
Вес, г	1