BDX34C, Darlington Transistors Silicon Pwr Trnsistr

Фото 1/6 BDX34C, Darlington Transistors Silicon Pwr Trnsistr
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1170 шт., срок 7-9 недель
200 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.112 руб.
от 500 шт.90.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005441884
Артикул: BDX34C
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Описание Биполярный транзистор BDX34C от STMicroelectronics предназначен для мощных применений, благодаря высокому току коллектора в 10 А и напряжению коллектор-эмиттер до 100 В. Эта модель сочетает в себе преимущества технологии Дарлингтона, с PNP конфигурацией, обеспечивая улучшенное усиление тока. Мощность транзистора достигает 70 Вт, что позволяет использовать его в различных сферах, включая промышленные и аудио применения. Монтаж осуществляется по технологии THT, а корпус TO220 обеспечивает надежность и удобство при монтаже на печатную плату. Транзистор BDX34C является оптимальным выбором для разработчиков, ищущих мощный и надежный компонент. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP, Дарлингтон
Монтаж THT
Ток коллектора, А 10
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Мощность, Вт 70
Корпус TO220

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 10 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 750
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 200 uA
Maximum DC Collector Current: 10 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 70 W
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: BDX34C
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
кол-во в упаковке 50
Category Discrete Semiconductor Products
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V
EDA / CAD Models Download from Accelerated Designs
Family Transistors-Bipolar(BJT)-Single
Frequency - Transition -
Mounting Type Through Hole
Online Catalog PNP Transistors
Other Names 497-12143
Other Related Documents BDX34C View All Specifications
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Power - Max 70W
Series -
Standard Package 50
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type PNP-Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Cut-off Current 200µA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Continuous Collector Current 10 A
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum DC Current Gain 750
Minimum Operating Temperature -65 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Width 4.6mm
Вес, г 2.3

Техническая документация

BDX34C Datasheet
pdf, 38 КБ
Datasheet
pdf, 85 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 86 КБ
Datasheet
pdf, 168 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.