MJD31CT4-A, Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4348 шт., срок 7-9 недель
290 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
162 руб.
от 500 шт. —
132.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Cas
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 100В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
Power Dissipation | 15Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | - |
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet MJD31CT4-A
pdf, 401 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары