MJD31CT4-A, Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS

MJD31CT4-A, Bipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4348 шт., срок 7-9 недель
290 руб.
от 10 шт.220 руб.
от 100 шт.162 руб.
от 500 шт.132.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005441989
Артикул: MJD31CT4-A
Бренд: STMicroelectronics

Описание

TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Cas

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 100В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 10hFE
DC Усиление Тока hFE 10hFE
Power Dissipation 15Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft -
Transistor Polarity NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вес, г 2.3

Техническая документация

Datasheet MJD31CT4-A
pdf, 401 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.