MJD32CT4-A, Bipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12124 шт., срок 7-9 недель

190 руб.

от 10 шт. — 170 руб.

от 100 шт. — 106 руб.

от 500 шт. — 85.01 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005441990

Артикул: MJD32CT4-A

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT LO PWR PNP PW TRANS

Pd - рассеивание мощности	15000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.4 mm (Max)
Длина	6.6 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	MJD32CT4-A
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.2 mm (Max)
Collector Current (Ic)	3A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	50uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	100V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	1.2V@375mA, 3A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	10@3A, 4V
Power Dissipation (Pd)	15W
Transistor Type	PNP
Вес, г	1.8