STGD6NC60H-1, IGBT Transistors N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
2589 шт., срок 7-9 недель
360 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
206 руб.
от 500 шт. —
162.74 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.9 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | IPAK-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGD6NC60H-1 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerMESH |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 352 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары