STGF20H65DFB2, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
990 шт., срок 7-9 недель
530 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
248 руб.
от 250 шт. —
229.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Вес, г | 1.69 |
Техническая документация
Datasheet STGF20H65DFB2
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![IRGB4056DPBF, Транзистор IGBT 600В 24А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![IHW20N135R5XKSA1 (H20PR5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
