SSM2212RZ-R7, Bipolar Transistors - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

SSM2212RZ-R7, Bipolar Transistors - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 410 руб.
от 10 шт.1 980 руб.
от 25 шт.1 760 руб.
от 100 шт.1 444.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 410 руб.
Номенклатурный номер: 8005464703
Артикул: SSM2212RZ-R7
Бренд: Analog Devices

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
PCB changed 8
Package Height 1.5(Max)
Package Width 4(Max)
Package Length 5(Max)
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Type NPN
Configuration Dual
Number of Elements per Chip 2
Maximum Collector Base Voltage (V) 40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 40
Operating Junction Temperature (°C) -65 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.2@0.1mA@1mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.02
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 0.5
Minimum DC Current Gain 200@0.01mA|300@1mA
Maximum Transition Frequency (MHz) 200(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Maximum Operating Temperature (°C) 85
Packaging Tape and Reel
Maximum Offset Voltage (mV) 0.2
Automotive No
Pin Count 8
Supplier Package SOIC N
Standard Package Name SOP
Military No
Вес, г 1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов