FP75R12KT4, IGBT Modules 1.85V IGBT 4 PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 820 руб.
от 10 шт. —
36 260 руб.
от 20 шт. —
36 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 42 820 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 385 W |
Вид монтажа | Chassis Mount |
Другие названия товара № | FP75R12KT4BOSA1 SP000355581 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | 3-Phase |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.25 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | Econo 3 |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet FP75R12KT4
pdf, 645 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары