2SB1561T100Q, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 2A

Фото 1/2 2SB1561T100Q, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 2A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
676 шт., срок 6-8 недель
210 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 100 шт.111 руб.
от 500 шт.89.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8005508199
Артикул: 2SB1561T100Q
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 2A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 4.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 270
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SB1561
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.5 mm
Brand ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO - 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 60 V
Configuration Single
Continuous Collector Current - 2 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 120
DC Current Gain HFE Max 270
Emitter- Base Voltage VEBO - 6 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product FT 200 MHz
Height 1.5 mm
Length 4.5 mm
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-89-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 500 mW
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Series 2SB1561
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.004603 oz
Width 2.5 mm
Вес, г 0.1305

Техническая документация

Datasheet 2SB1561T100Q
pdf, 1435 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.