BSH108,215, MOSFET BSH108/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14726 шт., срок 6-8 недель
83 руб.
от 10 шт. —
64 руб.
от 100 шт. —
34 руб.
от 1000 шт. —
22.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 83 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 1.9 A |
Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
Максимальное рассеяние мощности | 830 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.4мм |
Высота | 1мм |
Размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
Материал транзистора | SI |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 3 нс |
Производитель | Nexperia |
Типичное время задержки выключения | 15 нс |
Минимальная рабочая температура | -65 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 120 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 190 пФ при 10 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Base Product Number | BSH108 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.9A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | TrenchMOSв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.9A(Tsp) |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 830mW(Tsp) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 120mО© @ 1A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 830 mW |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары