APT50GR120L, IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264

2 930 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 930 руб.

Номенклатурный номер: 8005537193

Артикул: APT50GR120L

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

Pd - рассеивание мощности	694 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	117 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	1
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3
Вес, г	10