STGW19NC60HD, IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4263 шт., срок 6-8 недель
930 руб.
от 10 шт. —
820 руб.
от 25 шт. —
660 руб.
от 100 шт. —
527.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 42 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 42 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 140 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGW19NC60HD |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 688 КБ
STGW19NC60HD
pdf, 479 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.