DTA123EET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

63 руб.

от 10 шт. — 43 руб.

от 100 шт. — 18 руб.

от 1000 шт. — 10.21 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 63 руб.

Номенклатурный номер: 8005547329

Артикул: DTA123EET1G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	8
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	8
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DTA123EE
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SC-75-3
Ширина	0.8 mm
Вес, г	1

pdf, 423 КБ

Мы рекомендуем