APTM50AM38STG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
45 450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 45 450 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Mosfet Array 2, N-канал (полумост), 500 В, 90 А, 694 Вт, монтаж на шасси SP4
Технические параметры
| Base Product Number | APTM50 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 90A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11200pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | SP4 |
| Power - Max | 694W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 45A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | SP4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Техническая документация
Datasheet APTM50AM38STG
pdf, 658 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
