EPC2016C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
109359 шт., срок 7-9 недель
790 руб.
от 10 шт. —
600 руб.
от 100 шт. —
446 руб.
от 500 шт. —
328.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 790 руб.
Номенклатурный номер: 8005787768
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 100V 18A (Ta) Surface Mount Die
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0040 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | Die |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | eGaNВ® -> |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet EPC2016C
pdf, 1007 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2608, Транзистор N-канал 900В 3А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2225-E, Транзистор, N-канал [TO-3PFM]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547835.jpg)
![AUIRF2804S-7P, Транзистор, Auto Q101 Nкан 40В 320А [D2-PAK-7]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294540.jpg)
![FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
