FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 125 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

27 640 руб.

от 5 шт. — 25 160 руб.

от 10 шт. — 22 890 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 27 640 руб.

Номенклатурный номер: 8984816603

Артикул: FF200R12KS4HOSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FF200R12KS4, SP000100707

Collector Emitter Saturation Voltage	3.2В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	275А
DC Ток Коллектора	275А
Power Dissipation	1.4кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	62mm C
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальная Температура Перехода Tj	125°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	3.2В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	1.4кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 2 Fast
Вес, г	363.4